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ZnO 壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn),形成的四個主要 成分是?。冢睿稀⒓饩?、焦綠石和一些富?。拢椤∠啵▓D?。常D 中也指明了組分存在的部位,還存在一些用現(xiàn)有技術(shù)尚不 易檢測出來的其它次要相。 ZnO 壓敏電阻的典型晶粒尺寸在15和20μm 之間, 并且也總是伴有雙晶。SiO2的存在抑制晶粒生長,而?。裕椋希病?和?。拢幔稀t加速晶粒長大。尖晶石和焦綠石相對晶粒長大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時起作用,而尖晶石相在高溫 時有利。當(dāng)用鹽酸浸蝕晶粒時,中間相呈現(xiàn)出在電性上絕 緣的三維網(wǎng)絡(luò)。 燒結(jié)形成的?。冢睿稀【ЯJ恰。冢睿稀好綦娮璧幕緲?gòu)成單純?。冢睿稀∈蔷哂芯€性?。桑铡√匦缘姆腔瘜W(xué)計(jì)量 n 型半導(dǎo) 體。進(jìn)入 ZnO 中的各種添加物使其具有非線性。這些氧 化物中主要是 Bi 2O3。這些氧化物的引入,在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷,施主或類施主缺陷支配著耗盡層, 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態(tài)。相關(guān)的缺陷類 型是鋅空位(V Zn'、V Zn'')、氧空位(V o 、V o )、填隙鋅

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氧化鋅壓敏電阻器是一種以氧化鋅為主體、添加多種金屬氧化物、經(jīng)典型的電子陶瓷工藝制成的多晶半導(dǎo)體陶瓷元件。氧化鋅陶瓷是
由氧化鋅晶粒及晶界物質(zhì)組成的,其中氧化鋅晶粒中摻有施主雜質(zhì)而呈N型半導(dǎo)體,晶界物質(zhì)中含有大量金屬氧化物形成大量界面態(tài),這樣每一微觀單元是一個背靠背肖特基勢壘,整個陶瓷就是由許多背靠背肖特基墊壘串并聯(lián)的組合體。

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